Name: Fairchild/ON Semiconductor FCD4N60TM_WS
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FCD4N60TM_WS
Availability: InStock
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Fairchild/ON Semiconductor FCD4N60TM_WS

Artikelnummer:

FCD4N60TM_WS

Hersteller / Marke:

Fairchild (onsemi)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Fairchild/ON Semiconductor FCD4N60TM_WS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FCD4N60TM_WS.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.6nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.9A (Tc)
FCD4N60TM_WS Einzelheiten PDF [English]	FCD4N60TM_WS PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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